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参数资料
| 型号： | DMN4036LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 453pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.12W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN4036LK3-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN4036LK3
Typical Characteristics - continued
10
600
V GS = 0V
500
400
C ISS
f = 1MHz
8
6
300
C OSS
C RSS
4
200
100
2
V DS = 20V
I D = 12A
0
0.1
1
10
0
0
2
4
6
8
10
V DS - Drain - Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Q - Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Test Circuits
Current
Q G
regulator
12V
5 0k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
V DS
Basic gate charge waveform
Gate charge test circuit
90%
10%
V GS
R G
V GS
R D
V DS
V DD
t d(on)
t (on)
t r
t d(off)
t (on)
t r
Switching time waveforms
Switching time test circuit
DMN4036LK3
Document number: DS32122 Rev. 2 - 2
6 of 8
www.diodes.com
March 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN4060SVT-7 | MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMN4468LSS-13 | 功能描述:MOSFET N-CHAN ENHNCMNT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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