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参数资料
| 型号： | DMN55D0UT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 |
| 产品目录绘图： | SOT-523 Package Top SOT-523 Package Side 1 SOT-523 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 100mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-523 |
| 供应商设备封装： | SOT-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN55D0UTDIDKR |
DMN55D0UT
0.8
0.5
0.7
0.6
V GS = 10V
V GS = 4.5V
0.4
V DS = 10V
T A = 85°C
T A = 25°C
0.5
0.4
0.3
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
0.3
0.2
T A = -55°C
T A = 150°C
T A = 125°C
0.2
0.1
0.1
V GS = 1.5V
0
V GS = 1.0V
0
0
0.5
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0
1 2 3
4
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
10
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
V GS = 2.5V
T A = 25°C
V GS = 4.0V
T A = -55°C
1
1
0.001
0.01 0.1
1
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5
2.0
1.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
35
30
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.6
1.4
1.2
V GS = 4V
I D = 100mA
V GS = 2.5V
I D = 80mA
25
20
15
C iss
f = 1MHz
V GS = 0V
1.0
0.8
10
0.6
0.4
5
0
C oss
C rss
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
5
10 15 20 25 30 35
40
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Capacitance
DMN55D0UT
Document number: DS31330 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN5L06-7 | MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3 |
| DMN5L06DMK-7 | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SOT-26 |
| DMN5L06DW-7 | MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 |
| DMN5L06DWK-7 | MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN5L06 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN5L06DMK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06DMK_0709 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06DMK-7 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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