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参数资料
| 型号： | DMN55D0UT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 |
| 产品目录绘图： | SOT-523 Package Top SOT-523 Package Side 1 SOT-523 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 100mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-523 |
| 供应商设备封装： | SOT-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN55D0UTDIDKR |
DMN55D0UT
1.1
1
1.0
0.1
0.9
I D = 250μA
T A = 150°C
0.8
0.01
T A = 125°C
T A = 85°C
0.7
0.001
T A = 25°C
T A = -55°C
0.6
0.5
0.0001
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.1
0.3 0.5 0.7 0.9 1.1
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 625°C/W
0.01
D = 0.005
D = Single Pulse
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001 0.01 0.1
1
10
100
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 9 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT523
Dim Min Max
Typ
A
0.15 0.30
0.22
G
H
B C
B
C
D
G
H
J
0.75 0.85
1.45 1.75
? ?
0.90 1.10
1.50 1.70
0.00 0.10
0.80
1.60
0.50
1.00
1.60
0.05
K
N
M
K
L
0.60 0.80
0.10 0.30
0.75
0.22
J
D
L
M
N
α
0.10 0.20 0.12
0.45 0.65 0.50
?
0° 8°
All Dimensions in mm
DMN55D0UT
Document number: DS31330 Rev. 5 - 2
4 of 5
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN5L06-7 | MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3 |
| DMN5L06DMK-7 | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SOT-26 |
| DMN5L06DW-7 | MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 |
| DMN5L06DWK-7 | MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363 |
| DMN5L06K-7 | MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN5L06 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN5L06DMK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06DMK_0709 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06DMK-7 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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