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参数资料
| 型号： | DMN5L06VAK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 50V SOT-563 |
| 其它图纸： | SOT-563 Package Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 50mA @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN5L06VAKDIDKR |
DMN5/L06VK/L06VAK/010VAK
Package Outline Dimensions
A
SOT563
B
C
Dim
A
B
C
Min
0.15
1.10
1.55
Max Typ
0.30 0.20
1.25 1.20
1.70 1.60
D
D
-
-
0.50
G
G
H
K
0.90
1.50
0.55
1.10 1.00
1.70 1.60
0.60 0.60
K
M
L
M
0.10
0.10
0.30 0.20
0.18 0.11
All Dimensions in mm
H
L
Suggested Pad Layout
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.2
1.2
Z
G
C1
X
Y
0.375
0.5
C1
1.7
Y
X
C2
0.5
DMN5/L06VK/L06VAK/010VAK
Document number: DS30769 Rev. 10 - 2
5 of 6
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN5L06WK-7 | MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 |
| DMN601DMK-7 | MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26 |
| DMN601DWK-7 | MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363 |
| DMN601K-7 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 |
| DMN601TK-7 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN5L06VK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06VK-7 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN5L06W | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06W-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN5L06WK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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