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参数资料
| 型号： | DMN601DWK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 其它图纸： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 305mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN601DWKDIDKR |
DMN601DWK
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Drain Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
60
? 20
Unit
V
V
Drain Current (Note 5)
Continuous
Pulsed (Note 6)
I D
305
800
mA
Thermal Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Total Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R θ JA
T J , T STG
Value
200
625
-65 to +150
Unit
mW
°C/W
°C
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
60
?
?
?
?
?
?
1
? 10
V
μA
μA
V GS = 0V, I D = 10μA
V DS = 60V, V GS = 0V
V GS = ? 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage
(Note 8)
V GS(th)
R DS(ON)
|Y fs |
V SD
1.0
?
80
0.5
1.6
?
?
?
?
2.5
2.0
3.0
?
1.4
V
?
ms
V
V DS = 10V, I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 0.5A
V GS = 5V, I D = 0.05A
V DS =10V, I D = 0.2A
V GS = 0V, I S = 115mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
?
?
?
?
?
?
50
25
5.0
pF
pF
pF
V DS = 25V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
Notes:
5. Device mounted on FR-4 PCB.
6. Pulse width ? 10μS, Duty Cycle ? 1%.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
DMN601DWK
Document number: DS30656 Rev. 7 - 2
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www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN601K-7 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 |
| DMN601TK-7 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523 |
| DMN601VK-7 | MOSFET N-CH DL 60V 250MW SOT-563 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN601K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN601K_08 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN601K7 | 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Diodes Zetex 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
| DMN601K-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN601K-7-F | 制造商:DIODES 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR SOT-23 (LEADFREE) |
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