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参数资料
| 型号： | DMN601DWK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 其它图纸： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 305mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN601DWKDIDKR |
DMN601DWK
1.4
1.2
1.0
V GS = 10V
8V
6V
5V
4V
3V
10V
8V
6V
5V
1.00
V DS = 10V
Pulsed
T A = 125 ° C
0.8
0.6
4V
0.10
T A = 75 ° C
0.4
T A = 25 ° C
0.2
3V
T A = -25 ° C
0
0
1 2 3 4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1 Typical Output Characteristics
5
0.01
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2 Typical Transfer Characteristics
5
2
V DS = 10V
I D = 1mA
Pulsed
10
V GS = 10V
Pulsed
1.5
1
1
T A = 125 ° C
T A = 150°C
T A = 85 ° C
T A = -55°C
0.5
T A = 25°C
T A = 0 ° C
T A = -25°C
0
-50
-25
0 25 50
75 100
125 150
0.1
0.001
0.01
0.1
1
T CH , CHANNEL TEMPERATURE (°C)
Figure 3 Gate Threshold Voltage vs. Channel Temperature
10
I D, DRAIN CURRENT (A)
Figure 4 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
7
T A = 150 ° C
T A = 125 ° C
T A = 85°C
V GS = 5V
Pulsed
6
5
I D = 300mA
T A = 25°C
Pulsed
4
1
3
T A = 25°C
T A = 0 ° C
T A = -25 ° C
2
I D = 150mA
1
0.1
0
0.001
0.01
0.1
1
0
2
4 6 8 10
12 14
16 18 20
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 5 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
V GS, GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6 Static Drain-Source On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
DMN601DWK
Document number: DS30656 Rev. 7 - 2
3 of 5
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN601K-7 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN601K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN601K_08 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN601K7 | 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Diodes Zetex 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
| DMN601K-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN601K-7-F | 制造商:DIODES 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR SOT-23 (LEADFREE) |
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