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参数资料
| 型号： | DMN601VK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DL 60V 250MW SOT-563 |
| 产品变化通告： | Cooper Lead Frame Change 06/July/2007 |
| 其它图纸： | SOT-563 Package Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 305mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN601VKDIDKR |
DMN601VK
V GS = 10V
8V
6V
5V
4V
8V
6V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
3V
3V
5V
4V
0
0
1 2 3 4
5
2
1.5
1
0.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
V DS = 10V
I D = 1mA
Pulsed
10
1
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0
-50
-25
0 25 50
75 100
125
150
0.1
10
T CH , CHANNEL TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Gate Threshold Voltage
vs. Channel Temperature
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
1
0
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
V GS, GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Gate-Source Voltage
DMN601VK
Document number: DS30655 Rev. 4 - 2
2 of 4
www.diodes.com
October 2007
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN601WK-7 | MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3 |
| DMN6040SFDE-7 | MOSF N CH 60V 5.3A U DFN2020-6E |
| DMN6040SSD-13 | MOSFET N CH 60V 5A SO-8 |
| DMN6040SSS-13 | MOSFET N CH 60V 5.5A SO-8 |
| DMN6040SVT-7 | MOSFET N CH 60V 5A TSOT26 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN601WK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN601WK_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN601WK-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6040SFDE-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6040SK3-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 60V 20A TO252 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-channel 60V 20A TO-252 D2PAK |
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