- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录407 > DMN601WK-7 (Diodes Inc)MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMN601WK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 其它图纸： | SOT-323 Package Top SOT-323 Package Side 1 SOT-323 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN601WKDIDKR |
DMN601WK
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
60
±20
Units
V
V
Drain Current (Note 5)
Continuous
Pulsed (Note 6)
I D
300
800
mA
Thermal Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Total Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R ? JA
T J, T STG
Value
200
625
-65 to +150
Units
mW
°C/W
°C
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
60
?
?
?
?
?
?
1.0
±10
V
μA
μA
V GS = 0V , I D = 10μA
V DS = 60V, V GS = 0V
V GS = ±20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
V GS(th)
R DS(ON)
|Y fs |
1.0
??
??
80
1.6
??
??
?
2.5
2.0
3.0
?
V
??
ms
V DS = 10V, I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 0.5A
V GS = 4.5V, I D = 0.2A
V DS = 10V, I D = 0.2A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 8)
Input Capacitance
C iss
?
?
50
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
?
?
?
?
25
5.0
pF
pF
V DS = 25V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
Notes:
5.
6.
7.
8.
Device mounted on FR-4 PCB.
Pulse width ? 10μS, Duty Cycle ? 1%.
Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
Guaranteed by design. Not subject to production testing.
DMN601WK
Document number: DS30653 Rev. 5 - 2
2 of 5
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN6040SFDE-7 | MOSF N CH 60V 5.3A U DFN2020-6E |
| DMN6040SSD-13 | MOSFET N CH 60V 5A SO-8 |
| DMN6040SSS-13 | MOSFET N CH 60V 5.5A SO-8 |
| DMN6040SVT-7 | MOSFET N CH 60V 5A TSOT26 |
| DMN6066SSD-13 | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN6040SFDE-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6040SK3-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 60V 20A TO252 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-channel 60V 20A TO-252 D2PAK |
| DMN6040SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6040SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6040SVT-7 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。