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参数资料
| 型号： | DMN601WK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 其它图纸： | SOT-323 Package Top SOT-323 Package Side 1 SOT-323 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN601WKDIDKR |
DMN601WK
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1 2 3 4
5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
2
1.5
1
0.5
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T ch , CHANNEL TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Gate Threshold Voltage vs. Channel Temperature
10
1
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
10
1
0.1
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
0
V GS, GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Gate-Source Voltage
DMN601WK
Document number: DS30653 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN6040SFDE-7 | MOSF N CH 60V 5.3A U DFN2020-6E |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DMN6040SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6040SVT-7 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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