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参数资料
| 型号： | DMN6040SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 60V 5.5A SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1287pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN6040SSS-13DIDKR |
DMN6040SSS
20
16
12
8
20
16
12
8
V DS = 5.0V
T A = 150°C
4
4
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
0
0
T A = -55°C
1 2 3 4
5
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.1 Typical Output Characteristic
0.10
0.08
0.06
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE
Fig.2 Typical Transfer Characteristics
0.05
I D = 3.5A
I D = 4.5A
0.04
V GS = 4.5V
0.04
0.03
V GS = 10V
0.02
0.01
0.02
0
0
4 8 12 16
20
0
0
1
2 3 4 5 6 7 8 9
10
0.10
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.4
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.09
V GS = 4.5V
2.2
0.08
T A = 150°C
2.0
V GS = 10 V
I D = 10A
1.8
0.07
1.6
0.06
0.05
0.04
0.03
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.6
0.02
0.01
0
T A = -55°C
0.4
0.2
0
0
4
8 12 16
I D , DRAIN CURRENT
20
50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMN6040SSS
Document number: DS35709 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN6040SVT-7 | MOSFET N CH 60V 5A TSOT26 |
| DMN6066SSD-13 | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A SO8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN6040SVT-7 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6066SSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN6066SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6066SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN6066SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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