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参数资料
| 型号： | DMN6040SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 60V 5.5A SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1287pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN6040SSS-13DIDKR |
DMN6040SSS
Package Outline Dimensions
SO-8
Dim
A
A1
Min
-
0.10
Max
1.75
0.20
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A2
A3
b
1.30
0.15
0.3
1.50
0.25
0.5
Detail ‘A’
D
E
E1
4.85
5.90
3.85
4.95
6.10
3.95
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
e
h
L
θ
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
0 ° 8 °
e
b
All Dimensions in mm
D
Suggested Pad Layout
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
Y
DMN6040SSS
Document number: DS35709 Rev. 3 - 2
C2
C1
5 of 6
www.diodes.com
Y
C1
C2
1.55
5.4
1.27
May 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN6040SVT-7 | MOSFET N CH 60V 5A TSOT26 |
| DMN6066SSD-13 | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A SO8 |
| DMN6066SSS-13 | MOSFET N-CH 60V 3.7A SO8 |
| DMN6068LK3-13 | MOSFET N-CH 60V 6A DPAK |
| DMN6068SE-13 | MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN6040SVT-7 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6066SSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN6066SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6066SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN6066SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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