参数资料
型号: DMN6066SSD-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 7/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A SO8
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 66 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 502pF @ 30V
功率 - 最大: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
产品目录页面: 1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMN6066SSD-13DKR
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN6066SSD
Test Circuits
Current
Q G
regulator
12V
5 0k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
V DS
Basic gate charge waveform
Gate charge test circuit
90%
10%
V GS
R G
V GS
R D
V DS
V DD
t d(on)
t (on)
t r
t d(off)
t (on)
t r
Switching time waveforms
Switching time test circuit
DMN6066SSD
Document Number DS32109 Rev 3 - 2
7 of 9
www.diodes.com
December 2011
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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参数描述
DMN6066SSS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN6066SSS-13 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6068LK3 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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