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参数资料
| 型号： | DMP1245UFCL-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26.1nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1357.4pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 613mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN1616（1.6x1.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP1245UFCL-7DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP1245UFCL
1
0.1
0.01
R θ JA (t)=r(t) * R θ JA
R θ JA = 205°C/W
Duty Cycle, D=t1/ t2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 03 Transient Thermal Resistance
Electrical Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 6)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current T J = 25°C
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
-12
?
?
?
?
?
?
-1
± 10
V
μA
μA
V GS = 0V, I D = -250μA
V DS = -12.0V, V GS = 0V
V GS = ± 8.0V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 6)
Gate Threshold Voltage
V GS(th)
-0.3
-0.6
-0.95
V
V DS = V GS , I D = -250μA
?
25
29
V GS = -4.5V, I D = - 4A
Static Drain-Source On-Resistance
R DS (ON)
?
?
31
40
45
60
m ?
V GS = -2.5V, I D = - 3.5A
V GS = -1.8V, I D = - 1A
?
60
100
V GS = -1.5 V, I D = - 0.5A
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage
|Y fs |
V SD
0.4
-
3
-
-
-1.0
S
V
V DS = -5V, I D = -2A
V GS = 0V, I D = -2A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 7)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
C iss
C oss
C rss
R g
-
-
-
-
1357.4
499
273.6
14.26
-
-
-
-
pF
pF
pF
?
V DS = -10V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f = 1MHz
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
-
-
-
-
-
16.1
26.1
1.71
20.48
15.2
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
nC
ns
V GS = -4.5V
V GS = -8V
I D = -1A,
V DS = -10V
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
t r
t D(off)
t f
-
-
-
33.11
219.4
217.64
-
-
-
ns
ns
ns
V GS = -2.5V, V DS = -10V
I D = -180mA, R G = 2.0 ? ,
Notes:
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
7. Guaranteed by design. Not subject to production testing.
DMP1245UFCL
Document number: DS35505 Rev. 1 - 2
3 of 7
www.diodes.com
November 2011
? Diodes Incorporated
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