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参数资料
| 型号： | DMP1245UFCL-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26.1nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1357.4pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 613mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN1616（1.6x1.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP1245UFCL-7DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP1245UFCL
1.4
20
1.2
16
1.0
0.8
0.6
0.4
I D = -1mA
12
8
T A = 25°C
0.2
I D = -250μA
4
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.4
0.6 0.8 1 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 10 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100,000
T A = 150°C
2,500
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 11 Diode Forward Voltage vs. Current
10,000
T A = 125°C
2,000
1,000
T A = 85°C
1,500
C ISS
100
10
1
T A = 25°C
1,000
500
0
C OSS
C RSS
0
2 4 6 8 10 12
0
4 8 12 16
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
8
6
V DS = -10V
I D = -1A
4
2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 13 Typical Junction Capacitance
0
0
5 10 15 20 25
30
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 14 Gate-Charge Characteristics
DMP1245UFCL
Document number: DS35505 Rev. 1 - 2
5 of 7
www.diodes.com
November 2011
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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