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参数资料
| 型号： | DMP1245UFCL-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26.1nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1357.4pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 613mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN1616（1.6x1.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP1245UFCL-7DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP1245UFCL
20
16
V GS = 2.5V
V GS = 2.0V
V GS = 1.8V
20
16
12
8
4
V GS = 4.5V
V GS = 8.0V
V GS = 1.5V
V GS = 1.2V
12
8
4
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
0.06
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Output Characteristics
0.06
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5 Typical Transfer Characteristic
V GS = 4.5V
0.05
V GS = -1.5V
0.04
V GS = -1.8V
0.04
T A = 125°C
T A = 150°C
V GS = -2.5V
0.03
0.02
V GS = -4.5V
V GS = -3.5V
0.02
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0
0
4 8 12 16
20
0
0
4
8 12 16
20
1.7
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 6 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.06
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 7 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
V GS = -2.5V
I D = -5A
V GS = -4.5V
I D = -10A
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
V GS = -2.5V
I D = -5A
V GS = -4.5V
I D = -10A
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 8 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 9 On-Resistance Variation with Temperature
DMP1245UFCL
Document number: DS35505 Rev. 1 - 2
4 of 7
www.diodes.com
November 2011
? Diodes Incorporated
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