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参数资料
| 型号： | DMP2012SN-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SC-59 Package Top SC-59 Package Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 400mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2012SNDIDKR |
DMP2012SN
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current (Note 5) Steady State
Pulsed Drain Current (Note 6)
Symbol
V DSS
V GSS
I D
I DM
Value
-20
? 12
-0.7
-2.8
Unit
V
V
A
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Total Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R ? JA
T J , T STG
Value
500
250
-55 to +150
Unit
mW
°C/W
°C
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
-20
?
?
?
?
?
?
-10
? 10
V
μA
μA
V GS = 0V, I D = -250μA
V DS = -20V, V GS = 0V
V GS = ? 12V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage (Note 7)
V GS(th)
R DS (ON)
|Y fs |
V SD
-0.5
?
?
?
?
0.23
0.37
1.5
-0.8
-1.2
0.30
0.50
?
-1.1
V
?
S
V
V DS = V GS , I D = -250μA
V GS = -4.5V, I D = -0.4A
V GS = -2.5V, I D = -0.4A
V DS = -10V, I D = -0.4A
V GS = 0V, I S = -0.7A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
?
?
?
178.5
26.3
18.8
??
??
??
pF
pF
pF
V DS = -10V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-On Delay Time
t D(ON)
?
10.4
?
ns
Turn-Off Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Fall Time
t D(OFF)
t r
t f
?
?
?
175
22.3
64
?
?
?
ns
ns
ns
V DD = -10V, I D = -0.4A,
V GS = -5.0V, R GEN = 50 ?
Notes:
5. Device mounted on FR-4 PCB.
6. Pulse width ? 10μS, Duty Cycle ? 1%.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
DMP2012SN
Document number: DS30790 Rev. 7 - 2
2 of 5
www.diodes.com
September 2013
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