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参数资料
| 型号： | DMP2012SN-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SC-59 Package Top SC-59 Package Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 400mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2012SNDIDKR |
DMP2012SN
1.6
1.4
0.5
0.4
V GS = -2.5V
1.2
V GS = -2.5V
I D = -400mA
0.3
V GS = -2.5V
I D = -400 A
I D = -700 A
V GS = -4.5V
1.0
I D = -700mA
0.8
V GS = -2.5V
0.2
V GS = -4. 5V
I D = -700m A
0.6
I D = -700mA
0.1
0.4
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
1.5
Figure 7 On-Resistance Variation with Temperature
Figure 8 On-Resistance Variation with Temperature
1,000
f = 1MHz
1.0
-I D = 1mA
C iss
-I D = 250μA
0.5
C oss
C rss
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
100
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 9 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
Dim
A
B
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10 Typical Junction Capacitance
SC59
Min Max Typ
0.35 0.50 0.38
1.50 1.70 1.60
G
H
B C
C
D
G
H
J
K
2.70 3.00 2.80
- - 0.95
- - 1.90
2.90 3.10 3.00
0.013 0.10 0.05
1.00 1.30 1.10
K
N
M
L
M
0.35 0.55 0.40
0.10 0.20 0.15
N
0.70 0.80 0.75
J
DMP2012SN
Document number: DS30790 Rev. 7 - 2
D
L
4 of 5
www.diodes.com
?? 0° 8° -
All Dimensions in mm
September 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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