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参数资料
| 型号： | DMP2160UW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323 |
| 其它图纸： | SOT-323 Package Top SOT-323 Package Side 1 SOT-323 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 627pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2160UWDIDKR |
DMP2160UW
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
D = 0.02
R ? JA = 338°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
D = 0.005
t 2
T J - T A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
100
1,000
10,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 7 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
H
SOT323
K
Dim
A
Min
0.25
Max Typ
0.40 0.30
J
A
D
M
L
a
B
C
D
F
1.15 1.35 1.30
2.00 2.20 2.10
0.650 BSC
0.375 0.475 0.425
G
H
J
1.20
1.80
0.00
1.40 1.30
2.20 2.15
0.10 0.05
C
B
K
L
M
0.90
0.25
0.10
1.00 0.95
0.40 0.30
0.18 0.11
a
8°C
All Dimensions in mm
G
Suggested Pad Layout
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMP2160UW
Document number: DS31521 Rev. 5 - 2
X
E
C
4 of 5
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.8
0.7
0.9
1.9
1.0
February 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP21D0UFB4-7B | MOSF P CH 20V 770MA DFN1006H4-3 |
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| DMP21D0UT-7 | MOSFET P CH 20V 590A SOT523 |
| DMP21D5UFB4-7B | MOSF P CH 20V 700MA X2-DFN1006-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DMP21D0UFB-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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