参数资料
型号: DMP21D0UFD-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: MOS P CH 20V 1.14A X1-DFN1212-3
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 495 毫欧 @ 800mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 80pF @ 10V
功率 - 最大: 930mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-XDFN
供应商设备封装: 3-X1DFN1212
包装: 标准包装
其它名称: DMP21D0UFD-7DIDKR
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP21D0UFD
Thermal Characteristics
10
10
-I D (A) @P W =1ms -I
(A
(A)
0s
@
(A)
=1
-I D
ms
@
(A) 00
@
(A)
0m
)@
-I D
9
8
7
6
5
4
3
Single Pulse
R θ JA = 136 ° C/W
R θ JA (t) = R θ JA *r(t)
T J - T A = P*R θ JA
1
0.1
0.01
@
DC
-I D =1
P W
P W
s
-I D =1
P W
(A
D
)@
-I D =1
P W
P
W =
s
10
0
μs
R DS(ON)
Limited
2
T J(MAX) = 150 ° C
1
0
0.001
T A = 25 ° C
Single Pulse
-I D (A) @
P W =10μs
0.0001 0.001
0.01 0.1 1 10 100 1000
0.1
1
10
100
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 1 Single Pulse Maximum Power Dissipation
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 SOA, Safe Operation Area
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
Single Pulse
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 54°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
0.001
0.000001 0.00001
0.0001
0.001 0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 3 Transient Thermal Resistance
DMP21D0UFD
Datasheet Number: DS35364 Rev. 4 - 2
3 of 8
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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