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参数资料
| 型号： | DMP21D0UFD-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOS P CH 20V 1.14A X1-DFN1212-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 495 毫欧 @ 800mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 930mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1212 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP21D0UFD-7DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP21D0UFD
1.4
1.2
1.0
2.0
1.8
1.6
1.4
0.8
I D = -1mA
1.2
T A = 25°C
1.0
0.6
0.4
I D = -250μA
0.8
0.6
0.4
0.2
0.2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 12 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
100,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 13 Diode Forward Voltage vs. Current
1,000
10,000
T A = 125°C
T A = 150°C
T A = 150°C
1,000
100
T A = 125°C
100
T A = 85°C
T A = 25°C
10
T A = 85°C
T A = 25°C
10
1
T A = -55°C
1
0
4
8 12 16 20
0.1
0
2 4 6 8
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 14 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
100,000
1,000
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.15 Leakage Current vs. Gate-Source Voltage
f = 1MHz
10,000
1,000
100
T A = 125°C
T A = 150°C
T A = 85°C
100
C iss
T A = 25°C
C oss
10
T A = -55°C
10
C rss
1
0.1
0
2 4 6 8
1
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.16 Leakage Current vs. Gate-Source Voltage
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 17 Typical Junction Capacitance
DMP21D0UFD
Datasheet Number: DS35364 Rev. 4 - 2
6 of 8
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMP21D5UFB4-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP21D5UFD-7 | 功能描述:MOSFET P-Ch Enh Mode FET 1.0Ohm -20V -600mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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