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参数资料
| 型号： | DMP21D0UFD-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOS P CH 20V 1.14A X1-DFN1212-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 495 毫欧 @ 800mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 930mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1212 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP21D0UFD-7DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP21D0UFD
1.0
0.8
0.6
V GS = -1.5V
V GS = -1.8V
1.0
0.8
0.6
V GS = -4.5V
V GS = -2.5V
T A = 125°C
T A = 150°C
0.4
0.4
T A = 85°C
V GS = -4.5V
T A = 25°C
0.2
0.2
T A = -55°C
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6
2.0
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1.0
1.2
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 6 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
1.6
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 7 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.0
V GS = -1.8V
T A = 125°C
T A = 150°C
1.4
V GS = -1.5V
T A = 125°C
T A = 150°C
1.2
0.8
0.6
0.4
T A = -55°C
T A = 85°C
T A = 25°C
1.0
0.8
0.6
T A = 25°C
T A = -55°C
T A = 85°C
0.4
0.2
0.2
0
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0.7
0
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5
0.6
1.7
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 8 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1
0.9
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 9 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.5
1.3
V GS = 2.5V
I D = 250mA
V GS = 5.0V
I D = 500mA
0.8
0.7
V GS = -1.5V
I D = -50mA
0.6
1.1
0.9
0.7
V GS = -1.8V
I D = -100mA
V GS = -1.5V
I D = -50mA
0.5
0.4
0.3
0.2
V GS = 2.5V
I D = 250mA
V GS = 5.0V
I D = -500mA
0.1
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100
125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 10 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 11 On-Resistance Variation with Temperature
DMP21D0UFD
Datasheet Number: DS35364 Rev. 4 - 2
5 of 8
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMP21D5UFB4-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP21D5UFD-7 | 功能描述:MOSFET P-Ch Enh Mode FET 1.0Ohm -20V -600mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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