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参数资料
| 型号： | DMP2305U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT-23 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 727pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2305UDIDKR |
DMP2305U
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I D = 250μA
I D = 1mA
20
16
12
8
4
T A = 25°C
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
1.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
1,000
T A = 125°C
1,000
C iss
100
10
T A = 85°C
100
C oss
T A = 25°C
C rss
1
T A = -55°C
10
0
4 8 12 16
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
20
0.1
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
100
P W = 10μ s
10
1
0.1
R DS(on)
Limited
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
0.01
0.01
0.1 1 10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 SOA, Safe Operation Area
100
DMP2305U
Document number: DS31737 Rev. 6 - 2
4 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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