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参数资料
| 型号： | DMP3015LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2748pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP3015LSSDIDKR |
DMP3015LSS
20.0
I D (A) @ V GS = 10V
V DS = -5.0V
I D GS = 4.0V
16.0
I D (A) @ V GS = 4.5V
(A) @ V
I D GS = 3.0V
12.0
I D (A) @ V GS = 3.5V
(A) @ V
8.0
T A = 85 ? C
T A = 125 ? C
4.0
T A = 25 ? C
0.0
0
I D (A) @ V GS = 2.5V
0.5 1 1.5 2 2.5
3
T A = 150 ? C
T A = -55 ? C
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.1 Typical Output Characteristics
T A = 150 ? C
T A = 125 ? C
T A = 85 ? C
V GS = -4.5V
T A = 25 ? C
V GS = -10V
10,000
V GS = -4.5V
C iss
T A = -55 ? C
f = 1MHz
V GS = -4.5V
1,000
C oss
I D = -5A
C rss
V GS = -10V
I D = -10A
100
0
5
10
15
20
25
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Total Capacitance
DMP3015LSS
Document number: DS31472 Rev. 6 - 2
3 of 5
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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| DMP3020LSS-13 | 功能描述:MOSFET P-Channel 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| DMP3028LFDE-13 | 功能描述:MOSFET 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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