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参数资料
| 型号： | DMP3015LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2748pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP3015LSSDIDKR |
DMP3015LSS
V GS = 0V
I D = -250mA
I D = -1mA
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
T A = 85 ? C
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 91°C/W
D = 0.01
P(pk)
t 1
D = 0.005
D = Single Pulse
t 2
T J - T A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
Dim
A
A1
Min
?
0.08
Max
1.75
0.25
E1
E
A1
L
GAUGE PLANE
SEATING PLANE
A2
A3
b
1.30 1.50
0.20 Typ.
0.3 0.5
DETAIL A
D
E
4.80
5.79
5.30
6.20
A2 A
A3
h
45°
7°~9°
DETAIL A
E1
e
h
L
??
3.70 4.10
1.27 Typ.
? 0.35
0.38 1.27
0 ? 8 ?
e
D
b
All Dimensions in mm
DMP3015LSS
Document number: DS31472 Rev. 6 - 2
4 of 5
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP3020LSS-13 | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC |
| DMP3030SN-7 | MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3 |
| DMP3035LSS-13 | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC |
| DMP3056LDM-7 | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 |
| DMP3056LSD-13 | MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP3020LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP3020LSS-13 | 功能描述:MOSFET P-Channel 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP3025LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP3025LK3-13 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| DMP3028LFDE-13 | 功能描述:MOSFET 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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