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参数资料
| 型号： | DMP3056LDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 |
| 产品目录绘图： | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 722pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP3056LDMDIDKR |
DMP3056LDM
12
11
10
9
10
9
8
7
6
5
4
V GS = -10 V
V GS = -4.5 V
V GS = -3.0V
8
7
6
5
4
3
V DS = 5V
Pulsed
T A = 150°C
T A = 125°C
3
2
1
V GS = -1.5V
V GS = -1.0V
V GS = -2.5 V
2
1
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
0
0.5
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
1
1.5 2 2.5 3 3.5
4
0.1
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.05
0.04
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
V GS = -4.5V
0.03
I D = -3.7A
0.01
V GS = -4.5V
V GS = -10 V
0.02
0.01
0
V GS = -10V
I D = -4.3A
0.1
1
10
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 On-Resistance vs. Drain Current & Gate Voltage
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
I D = -250μA
10,000
1,000
f = 1MHz
C iss
1.8
1.6
1.4
1.2
1
100
10
C oss
C rss
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
5
10
15
20
25
30
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Total Capacitance
DMP3056LDM
Document number: DS31449 Rev. 11 - 2
3 of 6
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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