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参数资料
| 型号： | DMP3056LDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 |
| 产品目录绘图： | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 722pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP3056LDMDIDKR |
DMP3056LDM
10
1
1.7
1.5
1.3
0.1
T A = 150°C
1.1
0.01
T A = 125°C
T A = 85°C
0.9
V GS = -10V
I D = -10A
0.001
T A = 25°C
T A = -55°C
0.7
V GS = -4.5V
I D = -5A
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 8 On-Resistance Variation with Temperature
100
R DS(on) Limited
T J(MAX) = 150°C
T A = 25°C
Single Pulse
10
8
10
P W = 10μs
1
0.1
0.01
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
6
4
2
0
V DS = -15V
I D = 6A
0.1
1
10
100
0
5 10 15 20
25
1.4
1.2
1.0
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Safe Operation Area
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Gate-Charge Characteristics
0.8
0.6
0.4
0.2
Note 5
0
0
25 50
75 100 125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 11 Power Dissipation vs. Ambient Temperature
DMP3056LDM
Document number: DS31449 Rev. 11 - 2
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www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
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