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参数资料
| 型号： | DMP3098LDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26 |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 336pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMP3098LDM
Electrical Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
STATIC PARAMETERS
Drain-Source Breakdown Voltage
BV DSS
-30
?
?
V
I D = -250 μ A, V GS = 0V
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current
Gate Threshold Voltage
On State Drain Current (Note 5)
Static Drain-Source On-Resistance (Note 5)
Forward Transconductance (Note 5)
Diode Forward Voltage (Note 5)
T J = 25 ° C
I DSS
I GSS
V GS(th)
I D (ON)
R DS (ON)
g FS
V SD
?
?
-1.0
-15
?
?
?
?
?
?
?
56
98
5.3
0.79
-1
± 100
-2.1
?
65
115
?
-1.2
μ A
nA
V
A
m Ω
S
V
V DS = -30V, V GS = 0V
V DS = 0V, V GS = ± 20V
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS = -4.5V, V DS = -5V
V GS = -10V, I D = -4.0A
V GS = -4.5V, I D = -3.0A
V DS = -10V, I D = -4.0A
I S = -1.7A, V GS = 0V
DYNAMIC PARAMETERS (Note 6)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
C iss
C oss
C rss
R G
?
?
?
?
336
70
49
4.6
?
?
?
?
pF
pF
pF
Ω
V DS = -25V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
?
?
?
?
?
?
?
4.0
7.8
1.0
2.5
6.0
5.0
17.6
9.5
?
?
?
?
?
?
?
nC
ns
V DS = -15V, V GS = -4.5V, I D = -5.0A
V DS = -15V, V GS = -10V, I D = -5.0A
V DS = -15V, V GS = -4.5V, I D = -5.0A
V DS = -15V, V GS = -4.5V, I D = -5.0A
V DS = -15V, V GS = -10V,
I D = -1.0A, R G = 6.0 Ω
Notes:
5. Test pulse width t = 300 μ s.
6. Guaranteed by design. Not subject to production testing.
20
20
V DS = -5V
16
V GS = -10V
16
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 25°C
12
8
4
V GS = -4.5V
12
8
4
T A = -55°C
0
0
V GS = -1.5V V GS = -2.5V
V GS = -3.0V
1 2 3 4 5
0
1
2 3 4 5
6
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
DMP3098LDM
Document number: DS31446 Rev. 3 - 2
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www.diodes.com
October 2008
? Diodes Incorporated
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