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参数资料
| 型号： | DMP57D5UFB-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 欧姆 @ 100mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 29pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 425mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP57D5UFB-7DIDKR |
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
10
9
8
7
USE DMP56D0UFB
100
DMP57D5UFB
6
5
V GS = -2.5V
10
T A = 125°C
T A = 150°C
4
3
2
1
0
V GS = -4.5V
V GS = -10V
1
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.001
0.01
0.1
1
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5
2.0
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
35
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.8
1.6
V GS = -4V
30
25
C iss
1.4
I D = -100mA
20
f = 1MHz
1.2
1.0
0.8
V GS = -2.5V
I D = -100mA
15
10
5
V GS = 0V
C oss
C rss
0.6
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
5
10 15 20 25 30 35
40
1
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
0.5
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Capacitance
0.9
0.8
0.7
I D = -250μA
0.4
0.3
0.2
T A = 150°C
T A = 125°C
0.6
0.1
T A = 85°C
T A = 25°C
0.5
0
T A = -55°C
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMP57D5UFB
Document number: DS31274 Rev. 6 - 3
3 of 5
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP58D0LFB-7B | MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP57D5UV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP57D5UV-7 | 功能描述:MOSFET 50V PMOS-DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| DMP58D0LFB-7B | 功能描述:MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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