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参数资料
| 型号： | DMP57D5UFB-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 欧姆 @ 100mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 29pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 425mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP57D5UFB-7DIDKR |
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
1
D = 0.7
D = 0.5
USE DMP56D0UFB
DMP57D5UFB
D = 0.3
D = 0.9
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 294°C/W
0.01
D = Single Pulse
P(pk)
t 1
T J A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
t 2
-T
/t
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1
1
10
100
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 9 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
A
DFN1006-3
A1
D
b1
Dim
A
A1
b1
b2
D
E
Min
0.47
0
0.10
0.45
0.95
0.55
Max Typ
0.53 0.50
0.05 0.03
0.20 0.15
0.55 0.50
1.075 1.00
0.675 0.60
E
b2
e
e
?
?
0.35
L1
L2
0.20
0.20
0.30 0.25
0.30 0.25
L3
? ?
0.40
All Dimensions in mm
L2
L3
L1
Suggested Pad Layout
C
X 1
Dimensions
Z
Value (in mm)
1.1
X
G2
G1
G2
X
X1
0.3
0.2
0.7
0.25
Y
G1
Y
C
0.4
0.7
Z
DMP57D5UFB
Document number: DS31274 Rev. 6 - 3
4 of 5
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP58D0LFB-7B | MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN |
| DMP58D0SV-7 | MOSFET P-CH 50V 160MA SOT-563 |
| DMS2120LFWB-7 | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN |
| DMS2220LFDB-7 | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN |
| DMS2220LFW-7 | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP57D5UV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP57D5UV-7 | 功能描述:MOSFET 50V PMOS-DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP58D0LFB | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP58D0LFB-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X1-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP58D0LFB-7B | 功能描述:MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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