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参数资料
| 型号： | DMP58D0SV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 160MA SOT-563 |
| 其它图纸： | SOT-563 Package Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP58D0SVDIDKR |
DMP58D0SV
0.50
0.40
V GS = -10V
0.4
0.30
V GS = -4.5V
0.3
V GS = -5V
T A = 25°C
0.20
0.10
V GS = -2.5V
0.2
0.1
T A = -55°C
T A = 150°C
T A = 85°C
0.00
0
0.5
1
V GS = -1.8V
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4
4.5
10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
V GS = -5V
100
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
V GS = -10V
T A = 125°C
T A = 150°C
10
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
1
1
0.001
0.01
0.1
1
0
0.05
0.1 0.15 0.2 0.25 0.3
2.0
1.8
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = -10V
30
25
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
C iss
1.6
I D = -250mA
20
1.4
V GS = -5V
I D = -100mA
15
f = 1MHz
V GS = 0V
1.2
10
1.0
0.8
5
C oss
C rss
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
5
10 15 20 25 30 35
40
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Capacitance
DMP58D0SV
Document number: DS31293 Rev. 4 - 2
2 of 5
www.diodes.com
July 2009
? Diodes Incorporated
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