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参数资料
| 型号： | DMP58D0SV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 160MA SOT-563 |
| 其它图纸： | SOT-563 Package Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP58D0SVDIDKR |
DMP58D0SV
1.8
1
1.7
I D = -250μA
V GS = 0V
1.6
0.1
1.5
1.4
T A = 150°C
1.3
0.01
T A = 125°C
1.2
T A = 85°C
T A = 25°C
1.1
1.0
0.001
T A = -55°C
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.2
0.4 0.6 0.8 1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1
D = 0.9
D = 0.5
D = 0.3
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 313°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
-T
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = Single Pulse
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 9 Transient Thermal Response
Ordering Information
(Note 6)
Part Number
DMP58D0SV -7
Case
SOT-563
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
6. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
(Note 7)
MPA = Product Type Marking Code
MPA
YM
YM = Date Code Marking
Y = Year (ex: U = 2007)
M = Month (ex: 9 = September)
Date Code Key
Year
Code
2007
U
2008
V
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
Notes:
7. Package is non-polarized. Parts may be on reel in orientation illustrated, 180° rotated, or mixed (both ways).
DMP58D0SV
Document number: DS31293 Rev. 4 - 2
3 of 5
www.diodes.com
July 2009
? Diodes Incorporated
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