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参数资料
| 型号： | DS1222 |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | BankSwitch Chip(存储器组切换芯片) |
| 中文描述： | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP14 |
| 封装： | 0.300 INCH, DIP-14 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | DS1222 |
DS1222
022698 2/4
shown in Table 1. The last five cycles must match the
exact bit pattern as shown for addresses AX, AY, and
AZ. However, address line AW defines the bank num-
ber to be enabled as per Table 2.
Switching to a selected bank of memory occurs on the
rising edge of CEI when the last set of bits is input and a
match has been established. After bank selection CEO
always follows CEI with a maximum propagation delay
of 15 ns. The bank selected is determined by the levels
set on Bank Select 1 through Bank Select 4 as per Table
2. These levels are held constant for all memory cycles
until a new memory bank is selected.
ADDRESS BIT SEQUENCE
Table 1
BIT SEQUENCE
ADDRESS
INPUTS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
A
W
1
0
1
0
0
0
1
1
0
1
0
x
x
x
x
x
A
X
0
1
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
0
0
1
1
A
Y
1
0
1
0
0
0
1
1
0
1
0
1
1
1
0
0
A
Z
0
1
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
0
0
1
1
X See Table 2
BANK SELECT CONTROL
Table 2
Bank
A
W
Bit Sequence
Outputs
Selected
11
12
13
14
15
BS1
BS2
BS3
BS4
*Banks Off
0
X
X
X
X
Low
Low
Low
Low
Bank 0
1
0
0
0
0
Low
Low
Low
Low
Bank 1
1
0
0
0
1
High
Low
Low
Low
Bank 2
1
0
0
1
0
Low
High
Low
Low
Bank 3
1
0
0
1
1
High
High
Low
Low
Bank 4
1
0
1
0
0
Low
Low
High
Low
Bank 5
1
0
1
0
1
High
Low
High
Low
Bank 6
1
0
1
1
0
Low
High
High
Low
Bank 7
1
0
1
1
1
High
High
High
Low
Bank 8
1
1
0
0
0
Low
Low
Low
High
Bank 9
1
1
0
0
1
High
Low
Low
High
Bank 10
1
1
0
1
0
Low
High
Low
High
Bank 11
1
1
0
1
1
High
High
Low
High
Bank 12
1
1
1
0
0
Low
Low
High
High
Bank 13
1
1
1
0
1
High
Low
High
High
Bank 14
1
1
1
1
0
Low
High
High
High
Bank 15
1
1
1
1
1
High
High
High
High
*CEO = V
IH
independent of CEI
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PDF描述 |
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