- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录381717 > DS1225Y (DALLAS SEMICONDUCTOR) 64K Nonvolatile SRAM(64K 非易失性静态RAM) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | DS1225Y |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64K Nonvolatile SRAM(64K 非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | DS1225Y |
DS1225Y
021998 4/8
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t
A
: See Note 10; V
CC
=5.0V
±
10%)
DS1225Y-170
DS1225Y-200
PARAMETER
SYMBOL
DS1225Y-150
UNITS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
Read Cycle Time
t
RC
t
ACC
t
OE
t
CO
t
COE
150
170
200
ns
Access Time
150
170
200
ns
OE to Output Valid
70
80
100
ns
CE to Output Valid
150
170
200
ns
OE or CE to
Output Active
5
5
5
ns
5
Output High Z from De-
selection
t
OD
35
35
35
ns
5
Output Hold from Ad-
dress Change
t
OH
5
5
5
ns
Write Cycle Time
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR1
t
WR2
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH1
t
DH2
150
170
200
ns
Write Pulse Width
100
120
150
ns
3
Address Setup Time
0
0
0
ns
Write Recovery Time
0
10
0
10
0
10
ns
ns
12
13
Output High Z from WE
35
35
35
ns
5
Output Active from WE
5
5
5
ns
5
Data Setup Time
60
70
80
ns
4
Data Hold Time
0
10
0
10
0
10
ns
ns
12
13
CAPACITANCE
(t
A
= 25
°
C)
NOTES
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Capacitance
C
IN
C
I/O
10
pF
Input/Output Capacitance
10
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230AB(中文) | 256K NV SRAM(256K非易失性SRAM) |
| DS1230W | 3.3V 256K Nonvolatile SRAM(3.3V 256K 非易失性静态RAM) |
| DS1230Y | 256K Nonvolatile SRAM(256K 非易失性静态RAM) |
| DS1230AB | 256K NV SRAM(256K非易失性SRAM) |
| DS1231 | Power Monitor Chip(电源监控芯片) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1225Y-150 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1225Y-150+ | 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1225Y-150IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1225Y-150-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:64K Nonvolatile SRAM |
| DS1225Y-150IND+ | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。