- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4401 > DS1230Y-200+ (Maxim Integrated Products)IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | DS1230Y-200+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 12 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 200ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 28-EDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1432 (CN2011-ZH PDF) |
19-5635; Rev 11/10
DS1230Y/AB
256k Nonvolatile SRAM
www.maxim-ic.com
FEATURES
PIN ASSIGNMENT
?
?
?
?
?
?
?
10 years minimum data retention in the
absence of external power
Data is automatically protected during power
loss
Replaces 32k x 8 volatile static RAM,
EEPROM or Flash memory
Unlimited write cycles
Low-power CMOS
Read and write access times of 70 ns
Lithium energy source is electrically
disconnected to retain freshness until power is
applied for the first time
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V CC
WE
A13
A8
A9
A1 1
OE
A1 0
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
?
?
Full ± 10% V CC operating range (DS1230Y)
Optional ± 5% V CC operating range
(DS1230AB)
28-Pin Encapsulated Package
740-mil Extended
?
?
?
Optional industrial temperature range of
-40 ° C to +85 ° C, designated IND
JEDEC standard 28-pin DIP package
PowerCap Module (PCM) package
- Directly surface-mountable module
- Replaceable snap-on PowerCap provides
lithium backup battery
- Standardized pinout for all nonvolatile
SRAM products
- Detachment feature on PowerCap allows
NC
NC
NC
NC
V CC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
GND V BAT
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
easy removal using a regular screwdriver
34-Pin PowerCap Module (PCM)
(Uses DS9034PC+ or DS9034PCI+ PowerCap)
PIN DESCRIPTION
A0 - A14
DQ0 - DQ7
CE
W E
OE
V CC
GND
NC
1 of 10
- Address Inputs
- Data In/Data Out
- Chip Enable
- Write Enable
- Output Enable
- Power (+5V)
- Ground
- No Connect
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230Y-120+ | IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28DIP |
| DS1330YP-70+ | IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM |
| ACM40DTMI-S189 | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
| DS1230YP-70+ | IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM |
| ACM40DTBI-S189 | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1230Y-200+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230Y-200IND | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230Y-200-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230Y-200IND+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230Y-55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。