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参数资料
| 型号： | DS1230Y-200+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 12 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 200ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 28-EDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1432 (CN2011-ZH PDF) |
DS1230Y/AB
PACKAGES
The DS1230 devices are available in two packages: 28-pin DIP and 34-pin PowerCap Module (PCM).
The 28-pin DIP integrates a lithium battery, an SRAM memory and a nonvolatile control function into a
single package with a JEDEC-standard, 600-mil DIP pinout. The 34-pin PowerCap Module integrates
SRAM memory and nonvolatile control along with contacts for connection to the lithium battery in the
DS9034PC PowerCap. The PowerCap Module package design allows a DS1230 PCM device to be
surface mounted without subjecting its lithium backup battery to destructive high-temperature reflow
soldering. After a DS1230 PCM is reflow soldered, a DS9034PC PowerCap is snapped on top of the
PCM to form a complete Nonvolatile SRAM module. The DS9034PC is keyed to prevent improper
attachment. DS1230 PowerCap Modules and DS9034PC PowerCaps are ordered separately and shipped
in separate containers. See the DS9034PC data sheet for further information.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230Y-120+ | IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28DIP |
| DS1330YP-70+ | IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM |
| ACM40DTMI-S189 | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
| DS1230YP-70+ | IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM |
| ACM40DTBI-S189 | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1230Y-200+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230Y-200IND | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230Y-200-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230Y-200IND+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230Y-55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
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