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参数资料
| 型号： | DS1230Y-200+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 12 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 200ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 28-EDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1432 (CN2011-ZH PDF) |
DS1230Y/AB
REVISION HISTORY
REVISION
DATE
121907
11/10
DESCRIPTION
Added package information table; removed the DIP module
package drawing and dimension table
Updated the storage information, soldering temperature, and
lead temperature information in the Absolute Maximum Ratings
section; removed the -85, -100, -120, -150, and -200
MIN/MAX information from the AC Electrical Characteristics
table; updated the Ordering Information table (removed -85,
-100, -120, -150, and -200 parts and leaded -70 parts); removed
the PowerCap module drawings and updated the Package
Information table
10 of 10
PAGES
CHANGED
9, 10
1, 4, 5, 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230Y-120+ | IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28DIP |
| DS1330YP-70+ | IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM |
| ACM40DTMI-S189 | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
| DS1230YP-70+ | IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM |
| ACM40DTBI-S189 | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1230Y-200+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230Y-200IND | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230Y-200-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230Y-200IND+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230Y-55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
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