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参数资料
| 型号： | DS1250W |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM(3.3V 4096K 非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA32 |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | DS1250W |
DS1250W
022598 3/11
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature
Storage Temperature
Soldering Temperature
–0.3V to +4.6V
0
°
C to 70
°
C, –40
°
C to +85
°
C for Ind parts
–40
°
C to +70
°
C, –40
°
C to +85
°
C for Ind parts
260
°
C for 10 seconds
* This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operation sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(t
A
: See Note 10)
UNITS
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
NOTES
Power Supply Voltage
V
CC
3.0
3.3
3.6
V
Logic 1
V
IH
2.2
V
CC
V
Logic 0
V
IL
0.0
+0.4
V
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t
A
: See Note 10) (V
CC
=3.3V
±
0.3V)
MAX
UNITS
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
NOTES
Input Leakage Current
I
IL
–1.0
+1.0
μ
A
I/O Leakage Current
CE > V
IH
< V
CC
I
IO
–1.0
+1.0
μ
A
Output Current @ 2.2V
I
OH
–1.0
mA
Output Current @ 0.4V
I
OL
2.0
mA
Standby Current CE=2.2V
I
CCS1
50
250
μ
A
Standby Current CE=V
CC
–0.2V
I
CCS2
30
150
μ
A
Operating Current
I
CCO1
85
mA
Write Protection Voltage
V
TP
2.8
2.9
3.0
V
CAPACITANCE
(t
A
= 25
°
C)
NOTES
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Capacitance
C
IN
5
10
pF
Input/Output Capacitance
C
I/O
5
10
pF
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