参数资料
型号: DS1250W
厂商: DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分类: DRAM
英文描述: 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM(3.3V 4096K 非易失性静态RAM)
中文描述: 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA32
文件页数: 8/11页
文件大小: 108K
代理商: DS1250W
A
1
DIM
MIN
MAX
A
IN.
MM
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IN.
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C
IN.
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MM
E
IN.
MM
F
IN.
MM
G IN.
MM
H
IN.
MM
J
IN.
MM
K
IN.
MM
1.680
42.67
1.700
43.18
0.720
18.29
0.740
18.80
0.355
9.02
0.375
9.52
0.080
2.03
0.110
2.79
0.015
0.38
0.025
0.63
0.120
3.05
0.160
4.06
0.090
2.29
0.110
2.79
0.590
14.99
0.630
16.00
0.008
0.20
0.012
0.30
0.015
0.38
0.021
0.53
C
F
G
K
D
H
B
E
J
32–PIN
PKG
DS1250W
022598 8/11
DC TEST CONDITIONS
Outputs Open
Cycle = 200 ns for operating current
All voltages are referenced to ground
AC TEST CONDITIONS
Output Load: 100 pF + 1TTL Gate
Input Pulse Levels: 0 – 3.0V
Timing Measurement Reference Levels
Input: 1.5V
Output: 1.5V
Input pulse Rise and Fall Times: 5 ns
ORDERING INFORMATION
DS1250 W P – SSS – III
Operating Temperature Range
blank: 0
°
to 70
°
IND: –40
°
to +85
°
C
Access
150:
Speed
150 ns
Package Type
blank:
P:
28–pin 600 mil DIP
34–pin PowerCap Module
DS1250W NONVOLATILE SRAM 32–PIN 740 MIL EXTENDED DIP MODULE
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PDF描述
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参数描述
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DS1250W-100+ 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1250W-100IND 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1250W-100IND+ 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1250W-150 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube