型号: | DS1258AB |
厂商: | DALLAS SEMICONDUCTOR |
元件分类: | DRAM |
英文描述: | 128K x 16 Nonvolatile SRAM(128K x 16 非易失性静态RAM) |
中文描述: | 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP40 |
文件页数: | 6/9页 |
文件大小: | 73K |
代理商: | DS1258AB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
DS1258Y | 128K x 16 Nonvolatile SRAM(128K x 16 非易失性静态RAM) |
DS1258W | 3.3V 128K x 16 Nonvolatile SRAM(3.3V 128K x 16 非易失性静态RAM) |
DS1259 | Battery Manager Chip(电池管理芯片) |
DS1260 | Smart Battery(智能电池) |
DS1265AB | 8M Nonvolatile SRAM(8M非易失性静态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
DS1258AB-100 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
DS1258AB-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
DS1258AB-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:128k x 16 Nonvolatile SRAM |
DS1258AB-70 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
DS1258AB-70# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |