- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录381717 > DS1258AB (DALLAS SEMICONDUCTOR) 128K x 16 Nonvolatile SRAM(128K x 16 非易失性静态RAM) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | DS1258AB |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 16 Nonvolatile SRAM(128K x 16 非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP40 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | DS1258AB |
DS1258Y/AB
022598 7/9
POWER–DOWN/POWER–UP CONDITION
V
CC
3.2V
t
F
t
PD
t
R
t
REC
DATA RETENTION
TIME
t
DR
LEAKAGE CURRENT
I
SUPPLIED FROM
LITHIUM CELL
CEU, CEL
V
TP
SEE NOTE 11
POWER–DOWN/POWER–UP TIMING
(t
A
:
0
°
C to 70
°
C
)
UNITS
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
NOTES
CEU, CEL at V
IH
before
Power–Down
t
PD
0
s
11
V
CC
Slew from V
TP
to 0V
t
F
300
s
V
CC
Slew from 0V to V
TP
t
R
300
s
CEU, CEL or at V
IH
after
Power–Up
t
REC
2
125
ms
(t
A
= 25
°
C)
NOTES
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
Expected Data Retention Time
t
DR
10
years
9
WARNING:
Under no circumstance are negative undershoots, of any amplitude, allowed when device is in battery backup mode.
NOTES:
1. WE is high for a read cycle.
2. OE = V
IH
or V
IL
. If OE = V
IH
during write cycle, the output buffers remain in a high impedance state.
3. t
WP
is specified as the logical AND of CEU or CEL and WE. t
WP
is measured from the latter of CEU, CEL or WE
going low to the earlier of CEU, CEL or WE going high.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1258Y | 128K x 16 Nonvolatile SRAM(128K x 16 非易失性静态RAM) |
| DS1258W | 3.3V 128K x 16 Nonvolatile SRAM(3.3V 128K x 16 非易失性静态RAM) |
| DS1259 | Battery Manager Chip(电池管理芯片) |
| DS1260 | Smart Battery(智能电池) |
| DS1265AB | 8M Nonvolatile SRAM(8M非易失性静态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1258AB-100 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258AB-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258AB-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:128k x 16 Nonvolatile SRAM |
| DS1258AB-70 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258AB-70# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。