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参数资料
| 型号： | DS1265Y |
| 厂商： | Maxim Integrated Products, Inc. |
| 英文描述： | 8M Nonvolatile SRAM(8M非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 8M非易失SRAM |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | DS1265Y |
DS1265Y/AB
060598 8/8
DS1265Y/AB NONVOLATILE SRAM 36–PIN 740 MIL EXTENDED MODULE, LONG
A
1
DIM
MIN
MAX
A
IN.
MM
B
IN.
MM
C
IN.
MM
D
IN.
MM
E
IN.
MM
F
IN.
MM
G IN.
MM
H
IN.
MM
J
IN.
MM
K
IN.
MM
2.080
52.83
2.100
53.34
0.720
18.29
0.740
18.80
0.355
9.02
0.405
10.29
0.180
4.57
0.210
5.33
0.015
0.38
0.025
0.63
0.120
3.05
0.150
4.06
0.090
2.29
0.110
2.79
0.590
14.99
0.630
16.00
0.008
0.20
0.012
0.30
0.015
0.38
0.021
0.53
C
F
G
K
D
H
B
E
J
36–PIN
PKG
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1265Y | 8M Nonvolatile SRAM |
| DS1270AB | 16M Nonvolatile SRAM(16M非易失性静态RAM) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1265Y/AB | 制造商:MAXIM 制造商全称:Maxim Integrated Products 功能描述:8M Nonvolatile SRAM |
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| DS1265Y-100+ | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1265Y-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1265Y-70 | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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