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参数资料
| 型号： | DS1265Y |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M Nonvolatile SRAM |
| 中文描述： | 1M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP36 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | DS1265Y |
DS1265Y/AB
5 of 8
TIMING DIAGRAM:
WRITE CYCLE 1
TIMING DIAGRAM: WRITE CYCLE 2
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1270AB | 16M Nonvolatile SRAM(16M非易失性静态RAM) |
| DS1270Y | 16M Nonvolatile SRAM(16M非易失性静态RAM) |
| DS1270W | 3.3V 16Mb Nonvolatile SRAM |
| DS1302 | Trickle Charge Timekeeping Chip |
| DS1305 | Serial Alarm Real Time Clock (RTC)(串行报警实时时钟（RTC）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1265Y/AB | 制造商:MAXIM 制造商全称:Maxim Integrated Products 功能描述:8M Nonvolatile SRAM |
| DS1265Y-100 | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1265Y-100+ | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1265Y-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1265Y-70 | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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