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参数资料
| 型号： | DS1265Y |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M Nonvolatile SRAM |
| 中文描述： | 1M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP36 |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | DS1265Y |
DS1265Y/AB
8 of 8
DS1265Y/AB NONVOLATILE SRAM 36-PIN 740-MIL EXTENDED MODULE, LONG
PKG
36-PIN
DIM
MIN
MAX
A IN.
MM
2.080
52.83
2.100
53.34
B IN.
MM
0.720
18.29
0.740
18.80
C IN.
MM
0.355
9.02
0.405
10.29
D IN.
MM
0.180
4.57
0.210
5.33
E IN.
MM
0.015
0.38
0.025
0.63
F IN.
MM
0.120
3.05
0.150
4.06
G IN.
MM
0.090
2.29
0.110
2.79
H IN.
MM
0.590
14.99
0.630
16.00
J IN.
MM
0.008
0.20
0.012
0.30
K IN.
MM
0.015
0.38
0.025
0.58
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1270AB | 16M Nonvolatile SRAM(16M非易失性静态RAM) |
| DS1270Y | 16M Nonvolatile SRAM(16M非易失性静态RAM) |
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| DS1302 | Trickle Charge Timekeeping Chip |
| DS1305 | Serial Alarm Real Time Clock (RTC)(串行报警实时时钟（RTC）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1265Y/AB | 制造商:MAXIM 制造商全称:Maxim Integrated Products 功能描述:8M Nonvolatile SRAM |
| DS1265Y-100 | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1265Y-100+ | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1265Y-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1265Y-70 | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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