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参数资料
| 型号： | DSPIC30F5016-30I/PT |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 85/129页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DSPIC MCU/DSP 66K 80TQFP |
| 产品培训模块： | dsPIC30F Quadrature Encoder Interface Serial Communications using dsPIC30F CAN Serial Communications using dsPIC30F I2C Serial Communications using dsPIC30F SPI Serial Communications using dsPIC30F UART dsPIC30F 12 bit ADC - Part 2 dsPIC30F Addressing Modes - Part 1 dsPIC30F Architecture - Part 1 dsPIC30F DSP Engine & ALU Asynchronous Stimulus dsPIC30F Addressing Modes - Part 2 dsPIC30F Architecture - Part 2 dsPIC30F 12-bit ADC Part 1 |
| 标准包装： | 119 |
| 系列： | dsPIC™ 30F |
| 核心处理器： | dsPIC |
| 芯体尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 30 MIP |
| 连通性： | CAN，I²C，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 高级欠压探测/复位，电机控制 PWM，QEI，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 68 |
| 程序存储器容量： | 66KB（22K x 24） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 1K x 8 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 16x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 80-TQFP |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 651 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | AC164320-ND - MODULE SKT MPLAB PM3 80TQFP AC30F007-ND - MODULE SKT FOR DSPIC30F 80TQFP DV164005-ND - KIT ICD2 SIMPLE SUIT W/USB CABLE |
| 其它名称： | DSPIC30F501630IPT |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页当前第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页
2008 Microchip Technology Inc.
DS70149D-page 59
dsPIC30F5015/5016
7.3
Writing to the Data EEPROM
To write an EEPROM data location, the following
sequence must be followed:
1.
Erase data EEPROM word.
a) Select word, data EEPROM, erase and set
WREN bit in NVMCON register.
b) Write address of word to be erased into
NVMADRU/NVMADR.
c)
Enable NVM interrupt (optional).
d) Write ‘0x55’ to NVMKEY.
e) Write ‘0xAA’ to NVMKEY.
f)
Set the WR bit. This will begin erase cycle.
g) Either poll NVMIF bit or wait for NVMIF
interrupt.
h) The WR bit is cleared when the erase cycle
ends.
2.
Write data word into data EEPROM write
latches.
3.
Program 1 data word into data EEPROM.
a) Select word, data EEPROM, program and
set WREN bit in NVMCON register.
b) Enable NVM write done interrupt (optional).
c)
Write ‘0x55’ to NVMKEY.
d) Write ‘0xAA’ to NVMKEY.
e) Set the WR bit. This will begin program
cycle.
f)
Either poll NVMIF bit or wait for NVM
interrupt.
g) The WR bit is cleared when the write cycle
ends.
The write will not initiate if the above sequence is not
exactly followed (write 0x55 to NVMKEY, write 0xAA to
NVMCON, then set WR bit) for each word. It is strongly
recommended that interrupts be disabled during this
code segment.
Additionally, the WREN bit in NVMCON must be set to
enable writes. This mechanism prevents accidental
writes to data EEPROM, due to unexpected code
execution. The WREN bit should be kept clear at all
times, except when updating the EEPROM. The
WREN bit is not cleared by hardware.
After a write sequence has been initiated, clearing the
WREN bit will not affect the current write cycle. The WR
bit will be inhibited from being set unless the WREN bit
is set. The WREN bit must be set on a previous
instruction. Both WR and WREN cannot be set with the
same instruction.
At the completion of the write cycle, the WR bit is
cleared in hardware and the Nonvolatile Memory Write
Complete Interrupt Flag bit (NVMIF) is set. The user
may either enable this interrupt, or poll this bit. NVMIF
must be cleared by software.
7.3.1
WRITING A WORD OF DATA
EEPROM
Once the user has erased the word to be programmed,
then a table write instruction is used to write one write
latch, as shown in Example 7-4.
EXAMPLE 7-4:
DATA EEPROM WORD WRITE
; Point to data memory
MOV
#LOW_ADDR_WORD,W0
; Init pointer
MOV
#HIGH_ADDR_WORD,W1
MOV
W1,TBLPAG
MOV
#LOW(WORD),W2
; Get data
TBLWTL
W2,[ W0]
; Write data
; The NVMADR captures last table access address
; Select data EEPROM for 1 word op
MOV
#0x4004,W0
MOV
W0,NVMCON
; Operate key to allow write operation
DISI
#5
; Block all interrupts with priority <7
; for next 5 instructions
MOV
#0x55,W0
MOV
W0,NVMKEY
; Write the 0x55 key
MOV
#0xAA,W1
MOV
W1,NVMKEY
; Write the 0xAA key
BSET
NVMCON,#WR
; Initiate program sequence
NOP
; Write cycle will complete in 2mS. CPU is not stalled for the Data Write Cycle
; User can poll WR bit, use NVMIF or Timer IRQ to determine write complete
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DSPIC30F5016T-20I/PT | 功能描述:IC DSPIC MCU/DSP 66K 80TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:dsPIC™ 30F 产品培训模块:XLP Deep Sleep Mode 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio 标准包装:22 系列:PIC® XLP™ 18F 核心处理器:PIC 芯体尺寸:8-位 速度:48MHz 连通性:I²C，SPI，UART/USART，USB 外围设备:欠压检测/复位，POR，PWM，WDT 输入/输出数:14 程序存储器容量:8KB（4K x 16） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:256 x 8 RAM 容量:512 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):1.8 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 11x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-DIP（0.300"，7.62mm） 包装:管件 产品目录页面:642 (CN2011-ZH PDF) 配用:DV164126-ND - KIT DEVELOPMENT USB W/PICKIT 2DM164127-ND - KIT DEVELOPMENT USB 18F14/13K50AC164112-ND - VOLTAGE LIMITER MPLAB ICD2 VPP |
| dsPIC30F5016T-30I/PT | 功能描述:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 30MIPS 66 KB RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:2 KB 最大时钟频率:40 MHz 可编程输入/输出端数量:35 定时器数量:3 设备每秒兆指令数:50 MIPs 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-44 安装风格:SMD/SMT |
| DSPIC30F6010-20E/PF | 功能描述:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 30MHz 66KB Flash RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:2 KB 最大时钟频率:40 MHz 可编程输入/输出端数量:35 定时器数量:3 设备每秒兆指令数:50 MIPs 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-44 安装风格:SMD/SMT |
| DSPIC30F6010-20I/PF | 功能描述:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 20MHz 144KB Flash RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 数据总线宽度:16 bit 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:2 KB 最大时钟频率:40 MHz 可编程输入/输出端数量:35 定时器数量:3 设备每秒兆指令数:50 MIPs 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-44 安装风格:SMD/SMT |
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