参数资料
型号: ECH8308-TL-H
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 10A ECH8
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12.5 毫欧 @ 5A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2300pF @ 6V
功率 - 最大: 1.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 8-ECH
包装: 带卷 (TR)
ECH8308
--10
--9
ID -- VDS
--1.5V
--14
--12
VDS= --6V
ID -- VGS
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--10
--8
--6
--4
--2
--1
0
VGS= --1.2V
--2
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
40
35
ID= --1A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
--3A
IT13601
Ta=25°C
35
30
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT13602
--1.8V
30
25
--5A
25
VGS=
, I D=
--1A
20
20
15
V GS=
--2.5
V, I D=
--3A
4.5V, I D
15
10
5
0
10
5
0
V GS= --
= --5A
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
7
5
? y fs ? -- ID
IT13603
VDS= --6V
3
2
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13604
VGS=0V
3
2
--10
7
5
3
2
-25
=- ° C
° C
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
Ta 75
° C
25
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT13605
VDD= --6V
7
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT13606
f=1MHz
1000
VGS= --4.5V
5
7
5
3
Ciss
3
td(off)
2
2
tf
100
7
5
3
2
10
tr
td(on)
1000
7
5
3
2
Coss
Crss
--0.01
2 3
5 7 --0.1
2 3
5 7 --1.0
2 3
5 7 --10
2
3
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
Drain Current, ID -- A
IT13607
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13608
No. A1182-3/7
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PDF描述
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ECH8310 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications