- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录410 > ECH8410-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ECH8410-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 6A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Ordering number : ENA1331A
ECH8410
N-Channel Power MOSFET
30V, 12A, 10m Ω , Single ECH8
Features
http://onsemi.com
?
?
?
?
Low ON-resistance.
4V drive.
Halogen free compliance.
Protection diode in
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
30
±20
12
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
60
1.6
150
--55 to +150
A
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7011A-002
Product & Package Information
? Package : ECH8
? JEITA, JEDEC : -
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
8
Top View
2.9
5
0.15
ECH8410-TL-H
0 to 0.02
Packing Type : TL
Marking
KQ
TL
Lot No.
1
0.65
4
0.3
Electrical Connection
8
7
6
5
1 : Source
1 : Source
2 : Source
3 : Source
4 : Gate
5 : Drain
6 : Drain
7 : Drain
8 : Drain
2 : Source
3 : Source
4 : Gate
5 : Drain
6 : Drain
7 : Drain
8 : Drain
Top view
Bottom View
ECH8
1
2
3
4
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
51612 TKIM TC-00002188/N2509PE TK IM TC-00002188 No. A1331-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8419-TL-H | MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 |
| ECH8420-TL-H | MOSFET N-CH 20V 14A ECH8 |
| ECH8601M-TL-H | MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 |
| ECH8602M-TL-H | MOSFET N-CH 30V 6A ECH8 |
| ECH8649-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8411 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| ECH8411-TL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ECH8419 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8419-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ECH8420 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。