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参数资料
| 型号： | ECH8410-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 6A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8410
mm
Outline Drawing
ECH8410-TL-H
Mass (g) Unit
0.02
* For reference
Land Pattern Example
0.65
0.4
Unit: mm
No. A1331-6/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8419-TL-H | MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 |
| ECH8420-TL-H | MOSFET N-CH 20V 14A ECH8 |
| ECH8601M-TL-H | MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 |
| ECH8602M-TL-H | MOSFET N-CH 30V 6A ECH8 |
| ECH8649-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8411 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| ECH8411-TL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ECH8419 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8419-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ECH8420 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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