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参数资料
| 型号： | ECH8410-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 6A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8410
12
ID -- VDS
13
12
VDS=10V
ID -- VGS
10
8
11
10
9
6
4
2
VGS=3.0V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
40
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT15056
Ta=25°C
30
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT14583
35
30
ID=3A
25
, I D=
=4.0V
VGS
, I D=
S=
25
20
6A
20
15
VG
4.5V
3A
3A
15
10
10
V GS=
10.0
V, I D=
6A
5
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
--50
0
50
100
150
200
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
2
10
7
5
| y fs | -- ID
IT14584
VDS=10V
3
2
10
7
5
3
2
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14585
VGS=0V
Ta
5 °
° C
3
2
=
--2
C
75
1.0
7
5
3
2
1.0
7
5
25
° C
0.1
7
5
3
2
3
2
0.01
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2 3
0.001
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
7
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14586
VDD=15V
VGS=10V
5
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14587
f=1MHz
2
td(off)
2
Ciss
100
7
5
tf
1000
7
5
3
2
10
tr
td(on)
3
2
C o ss
Crss
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
100
0
5
10
15
20
25
30
Drain Current, ID -- A
IT14588
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14589
No. A1331-3/7
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