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参数资料
| 型号： | ECH8410-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 6A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8410
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=30V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
30
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=6A
ID=6A, VGS=10V
1.2
7.5
7.5
2.6
10
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=3A, VGS=4.5V
ID=3A, VGS=4V
VDS=10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=15V, VGS=10V, ID=12A
IS=12A, VGS=0V
13
15.5
1700
300
200
17
50
110
72
31
5.5
5.5
0.8
18.2
22
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
VDD=15V
10V
0V
VIN
ID=6A
RL=2.5 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
VIN
D
VOUT
G
P.G
50 Ω
S
ECH8410
Ordering Information
Device
ECH8410-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1331-2/7
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