- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录410 > ECH8410-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ECH8410-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 6A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8410
era
0 μ
1m
ms
0m
n(
=2
C)
10
9
8
7
6
5
4
3
VDS=15V
ID=12A
VGS -- Qg
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ASO
IDP=60A
ID=12A
DC
op
Operation in this
area is limited by RDS(on).
tio
10
10
s
Ta
5 °
PW≤10μs
10
s
s
Ta=25 ° C
When mounted on
0.01
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0.1
7
5
3
2 Single pulse
0.01
2 3 5 7 0.1
ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10
2 3
5
1.8
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT14590
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15057
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14986
No. A1331-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8419-TL-H | MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 |
| ECH8420-TL-H | MOSFET N-CH 20V 14A ECH8 |
| ECH8601M-TL-H | MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 |
| ECH8602M-TL-H | MOSFET N-CH 30V 6A ECH8 |
| ECH8649-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8411 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| ECH8411-TL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ECH8419 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8419-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ECH8420 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。